-與集成電路其他產(chǎn)品相比,存儲芯片的收入近年內(nèi)將經(jīng)歷最快速的增長,預(yù)計2020年至2025年的復(fù)合年增長率將超過9%。
-截至2020年末長江存儲取得全球接近1%市場份額,全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash,與長存NAND補齊Flash版圖。
-本土需求疊加外部因素催生本土廠商產(chǎn)能躍進(jìn),未來五年長鑫、長存產(chǎn)能有望持續(xù)提升,形成較高的市場競爭力。
NAND與DRAM存儲芯片為全國最大市場體量的芯片,且國內(nèi)需求巨大,以長江存儲、長鑫存儲等為代表的存儲企業(yè)成立歷史尚短,但通過持續(xù)技術(shù)迭代,已取得不斷突破。
2021年12月18日,集微咨詢(JW Insights)重磅發(fā)布《中國半導(dǎo)體企業(yè)100強》排行榜,長江存儲排名第七位,長鑫存儲排名第十一位。
存儲芯片需求攀升
半導(dǎo)體存儲器從易失性角度分為隨機存儲器RAM和只讀存儲器 ROM 兩種。目前市場主流的半導(dǎo)體存儲器以 DRAM(動態(tài)隨機存儲)、NAND Flash和NOR Flash。
DRAM集成度高、功耗低、存取速度慢。從存儲能力來說,DRAM所能提供的存儲容量更大,訪問時間較長。NAND 容量大、單位容量成本低,NOR 讀取速度快、可靠性高、擦除速度快。多應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)采用的DOC及閃盤。
根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2021年,全球存儲器IC市場超過1550億美元,其中56%預(yù)計將來自于DRAM產(chǎn)品,約41%由NAND存儲器的銷售產(chǎn)生。
伴隨云計算、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等重要趨勢推動數(shù)據(jù)大爆炸時代的來臨,并助推了未來幾年存儲需求的強勁增長。與集成電路其他產(chǎn)品相比,存儲芯片的收入近年內(nèi)將經(jīng)歷最快速的增長,預(yù)計2020年至2025年的復(fù)合年增長率將超過9%。
Yole數(shù)據(jù)顯示,作為全球存儲重要市場,中國存儲芯片市場規(guī)模由2014年的1274億元增長至2019的2697億元,年均復(fù)合增長率達(dá)到16.18%。
長江存儲:3D NAND Flash+Nor Flash(武漢新芯)
長江存儲是大陸首家實現(xiàn)64層3D NAND量產(chǎn)的IDM企業(yè)。其全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash,與長江存儲NAND補齊Flash版圖。
2018年,長江存儲發(fā)布Xtacking架構(gòu);2019年9月,長江存儲成功量產(chǎn)64層TLC 3D NAND 閃存。此后,長江存儲跳過96層3D NAND閃存技術(shù)量產(chǎn),2020年4月宣布128層TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功,其中X2-6070是業(yè)界首款128層QLC閃存。
根據(jù)民生證券數(shù)據(jù),截至2020年末長江存儲取得全球接近1%市場份額,預(yù)計2025年底占全球總產(chǎn)能的比例將達(dá)到約6%。到2019年和2020年底,長江存儲產(chǎn)能分別達(dá)到2萬/月、4萬/月,2021年、2022年、2023年、2024年、2025年長江存儲產(chǎn)能分別將達(dá)到10萬片/月、15萬片/月、20萬片/月、25萬片/月、30萬片/月。
此外,全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash,與長存NAND 補齊Flash版圖,武漢新芯成立于2006年,由湖北省市區(qū)三級政府集體決策投資107億,建設(shè)中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線,2008年建成投產(chǎn)。2017年武漢新芯開始聚焦IDM 戰(zhàn)略,發(fā)布了集產(chǎn)品設(shè)計、晶圓制造與產(chǎn)品銷售于一體的自主品牌,致力于開發(fā)高性價比的SPI NOR Flash產(chǎn)品。
長鑫存儲:DRAM技術(shù)快速成長
DRAM作為是存儲最大細(xì)分市場,在電動車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的推動下、全球居家辦公需求延續(xù)、5G、人工智能大發(fā)展的背景下,DRAM需求也隨之不斷攀升。合肥長鑫存儲作為一體化存儲器制造商,專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。
2020年底,合肥長鑫19nm DRAM芯片實現(xiàn)量產(chǎn),產(chǎn)能達(dá)到4萬片。當(dāng)下長鑫量產(chǎn)的主要是10G1工藝下的DDR4、LPDDR4。未來將推出10G3工藝下的DDR5、LPDDR5,及10G5工藝下的DDR5、LPDDR5、GDDR6。
2020年安徽省經(jīng)濟(jì)和信息化廳去年印發(fā)了《重點領(lǐng)域補短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》,其中要求實現(xiàn)低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā),依托DRAM 17nm及以下工藝,攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計技術(shù)、低功耗電源(電壓)技術(shù)、片內(nèi)糾錯編碼(On-Die ECC)技術(shù),完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。
集微咨詢(JW Insights)認(rèn)為,目前,全球存儲芯片主要由國外寡頭企業(yè)供給,國產(chǎn)存儲存在的巨大缺口。伴隨國際形勢以及國內(nèi)缺口,國產(chǎn)存儲芯片自主化已成必然路徑。以長存、長鑫為代表的國內(nèi)存儲企業(yè)經(jīng)過技術(shù)攻關(guān),已取得系列技術(shù)突破,并覆蓋NAND與DRAM等主要領(lǐng)域。
存儲芯片作為全球最大市場體量的芯片,伴隨信息化時代數(shù)據(jù)大爆炸,存儲芯片全球需求量高速攀升,國內(nèi)市場需求不斷擴(kuò)大。2021年長鑫存儲和長江存儲產(chǎn)能合計僅占全球約2.5%,而本土需求疊加外部因素催生本土廠商產(chǎn)能躍進(jìn),未來五年長鑫、長存產(chǎn)能有望持續(xù)提升,形成較高的市場競爭力。
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