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全球速遞!3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術
2023-05-05 14:19:54 來源:中關村在線 編輯:


(資料圖片僅供參考)

5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現(xiàn)?8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。

根據(jù)其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。


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此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向結晶(MILC)技術提高通道的結晶質(zhì)量,再利用尖端的鎳鑄方法來消除硅材料中的雜質(zhì)和缺陷。

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